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    本实验室结合国际国内科学和技术的发展趋势,面向我省国民经济和社会发展的迫切需要,开展应用基础研究和竞争前共性关键技术研究。结合国内省内需求、国内外发展趋势及现有基础,确立重点实验室的研究方向如下:

1)宽禁带半导体材料生长、加工机理及工艺:包括SiC粉料制备机理及工艺;单晶生长、掺杂、缺陷形成、本征深能级点缺陷形成机理及工艺控制;超精密高平坦化加工机理及工艺控制;GaNAlN单晶生长研究;

2)宽禁带半导体材料薄膜生长、物性评价:包括外延生长机制和模型;外延的热力学、动力学过程;掺杂、缺陷的工艺控制;物理、化学性质评价;

3) 宽禁带半导体材料核心制造设备:包括SiC及其他宽禁带半导体单晶和外延生长设备的温场、气流场模拟,机械结构设计和自动化控制设计,以及设备制造;

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